সৌর কোষটপকন এন-টাইপ প্রযুক্তি
দ্বিপাক্ষিক এন-টাইপ সৌর কোষ
- উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা সহ উচ্চ রূপান্তর দক্ষতা
- স্থিতিশীল প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণের সাথে অভিন্ন কোষের কর্মক্ষমতা
- উভয় পক্ষই বিদ্যুৎ উৎপাদন করতে পারে
- এনক্যাপসুলেশনের সময় কোষের কম পারফরম্যান্সের অসামঞ্জস্যতা
- কম ইরিডিয়েন্স সহ চমৎকার বিদ্যুৎ উৎপাদন কর্মক্ষমতা
- কম হটস্পট প্রভাব
ডবল পার্শ্বযুক্ত সৌর প্যানেল এন টাইপ
- ডবল পার্শ্বযুক্ত মডিউল নেতৃস্থানীয় NTOPCon প্রযুক্তি, 9BB এবং অর্ধ-সেল একত্রিত করে।
- এন-টাইপ উপাদানের কোন IDাকনা/লেটিড ঝুঁকি নেই এবং মডিউলগুলিকে আরও নির্ভরযোগ্য, আরও দ্বিগুণ, উচ্চ দক্ষতা, নিম্ন তাপমাত্রার সহগ এবং দীর্ঘ সেবা জীবন তৈরি করে।
- কোষ সংখ্যা: 120 টুকরা। (12*10)
- সর্বোচ্চ দক্ষতা （%） ： 21.03%
- কাজের তাপমাত্রা （℃） 40 - 40 ℃ ~ + 85
- সর্বাধিক সিস্টেম ভোল্টেজ (V) ： 1500 V (IEC)
- তাপমাত্রা সহগ Pmax -0.32%/
- নামমাত্র অপারেটিং সেল তাপমাত্রা (NOCT) 42 ± 2
আলো দ্বারা কোন অবনতি হয় না
TOPCon একটি N- টাইপ সিলিকন সাবস্ট্রেট সহ একটি ব্যাটারি। ফসফরাস-ডোপেড এন-টাইপ স্ফটিক সিলিকনটিতে বোরন কম থাকে, যা বোরন অক্সিজেনের প্রভাব হ্রাস করে।
দ্বৈত এন-টাইপ সৌর কোষের গঠন চিত্র
দ্বি-পার্শ্বযুক্ত সৌর কোষ এন-টাইপের প্রযুক্তিগত প্রক্রিয়ার পরিকল্পিত
All Posts
×